開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD/EMI性能

　　芯片的ESD（Electro-Static Discharge，靜電放電）性能是指芯片在靜電放電事件中的保護能力和可靠性。?ESD是電子設(shè)備中常見但又極具破壞性的現(xiàn)象，可能導(dǎo)致芯片損壞、系統(tǒng)故障甚至整個設(shè)備的癱瘓。因此，ESD性能是芯片可靠性的關(guān)鍵因素之一。開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD性能、EMI性能，可提供更有利保護，?典型功率表如下：

　　PCB設(shè)計對電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，開關(guān)電源芯片U2315X設(shè)計原邊回路時建議參考下圖的內(nèi)容 (以SOP-為例)。

　　1. 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小，同時走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率leyu·樂魚(中國)體育官方網(wǎng)站。

　　2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。

　　3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片，保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。

　　4. 如 Line1 所示，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地，以減少ESD能量對于芯片的干擾。

　　5. 如 Line2 所示，VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。leyu·樂魚(中國)體育官方網(wǎng)站

　　開關(guān)電源芯片U2315X主要特性：

　　& 集成 800V 高壓功率三極管

　　& 谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高

　　& 電源系統(tǒng)單點失效保護

　　& 多模式原邊控制方式

　　& 優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)

　　& 集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路

　　& 優(yōu)化的 EMI 性能

　　& 優(yōu)化的 ESD 性能

　　& 工作無異音

　　& 恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

　　& 超低待機功耗 <50mW

　　& 線損補償功能

　　& 集成完備的保護功能:

　　輸出短路保護 (FB SLP)

　　輸出過壓保護功能 (FB OVP)

　　逐周期限流保護 (OCP)

　　過熱保護 (OTP)

　　VDD 過壓、欠壓和鉗位保護

　　& 封裝類型 SOP-7

　　開關(guān)電源芯片U2315X集成了三極管基極動態(tài)驅(qū)動技術(shù)以優(yōu)化系統(tǒng)效率。基極驅(qū)動電流隨著負載狀態(tài)動態(tài)調(diào)節(jié)，輸出負載越大，基極驅(qū)動電流越大，且基極驅(qū)動電流正比于CS管腳峰值電壓信號。優(yōu)化設(shè)計的動態(tài)響應(yīng)性能，可滿足USB充電器的要求！