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開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD/EMI性能

作者:leyu樂魚發(fā)布時(shí)間:2025-04-12

  開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD/EMI性能

  芯片的ESD(Electro-Static Discharge,靜電放電)性能是指芯片在靜電放電事件中的保護(hù)能力和可靠性。?ESD是電子設(shè)備中常見但又極具破壞性的現(xiàn)象,可能導(dǎo)致芯片損壞、系統(tǒng)故障甚至整個(gè)設(shè)備的癱瘓。因此,ESD性能是芯片可靠性的關(guān)鍵因素之一leyucom樂魚官網(wǎng)。開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD性能、EMI性能,可提供更有利保護(hù),?典型功率表如下:

  PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI,ESD等性能有顯著影響,開關(guān)電源芯片U2315X設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容 (以SOP-為例)。

  1. 原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小,同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

  2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。

  3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片,保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。

  4. 如 Line1 所示,輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地,以減少ESD能量對(duì)于芯片的干擾。

  5. 如 Line2 所示,VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳,再連接到輸入電容的地。

  開關(guān)電源芯片U2315X主要特性:

  & 集成 800V 高壓功率三極管

開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD/EMI性能

  & 谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高

  & 電源系統(tǒng)單點(diǎn)失效保護(hù)

  & 多模式原邊控制方式

  & 優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

  & 集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū)動(dòng)電路leyu·樂魚(中國)體育官方網(wǎng)站

  & 優(yōu)化的 EMI 性能

  & 優(yōu)化的 ESD 性能

  & 工作無異音

  & 恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

  & 超低待機(jī)功耗 <50mW

  & 線損補(bǔ)償功能

  & 集成完備的保護(hù)功能:

  輸出短路保護(hù) (FB SLP)

  輸出過壓保護(hù)功能 (FB OVP)

  逐周期限流保護(hù) (OCP)

  過熱保護(hù) (OTP)

  VDD 過壓、欠壓和鉗位保護(hù)

  & 封裝類型 SOP-7

  開關(guān)電源芯片U2315X集成了三極管基極動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)技術(shù)以優(yōu)化系統(tǒng)效率?;鶚O驅(qū)動(dòng)電流隨著負(fù)載狀態(tài)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié),輸出負(fù)載越大,基極驅(qū)動(dòng)電流越大,且基極驅(qū)動(dòng)電流正比于CS管腳峰值電壓信號(hào)。優(yōu)化設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能,可滿足USB充電器的要求!

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